Ddr sdram pc3200 ddr400

DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM.

При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200 МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC [2] есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных».

Специфическим режимом работы модулей памяти является двухканальный режим.

Содержание

Описание [ править | править код ]

Микросхемы памяти DDR SDRAM выпускались в корпусах TSOP и (освоено позднее) корпусах типа BGA (FBGA), производятся по нормам 0,13 и 0,09-микронного техпроцесса:

  • Напряжение питания микросхем: 2,6 В ± 0,1 В.
  • Потребляемая мощность: 527 мВт.
  • Интерфейс ввода-вывода: SSTL_2.

Ширина шины памяти составляет 64 бита, то есть по шине за один такт одновременно передаётся 8 байт. В результате получаем следующую формулу для расчёта максимальной скорости передачи для заданного типа памяти: (тактовая частота шины памяти) x 2 (передача данных дважды за такт) x 8 (число байтов передающихся за один такт). Например, чтобы обеспечить передачу данных дважды за такт, используется специальная архитектура «2n Prefetch». Внутренняя шина данных имеет ширину в два раза больше внешней. При передаче данных сначала передаётся первая половина шины данных по фронту тактового сигнала, а затем вторая половина шины данных по спаду.

Помимо удвоенной передачи данных, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном, они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. Если используется два модуля памяти, то данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей из-за разного расстояния. Возникает проблема в выборе синхросигнала для их считывания, и использование QDS успешно это решает. Грубо говоря, если на материнской плате имеется 2 и более разъёмов для оперативной памяти, то ближний слот, будет ждать дальний слот.

JEDEC устанавливает стандарты для скоростей DDR SDRAM, разделённых на две части: первая для чипов памяти, а вторая для модулей памяти, на которых, собственно, и размещаются чипы памяти.

Чипы памяти [ править | править код ]

В состав каждого модуля DDR SDRAM входит несколько идентичных чипов DDR SDRAM. Для модулей без коррекции ошибок (ECC) их количество кратно 4, для модулей с ECC — формула 4+1.

Спецификация чипов памяти [ править | править код ]

  • DDR200: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 100 МГц
  • DDR266: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 133 МГц
  • DDR333: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 166 МГц
  • DDR400: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 200 МГц

Характеристики чипов [ править | править код ]

  • Ёмкость чипа (DRAM density). Записывается в мегабитах, например, 256 Мбит — чип ёмкостью 32 мегабайта.
  • Организация (DRAM organization). Записывается в виде 64M x 4, где 64M — это количество элементарных ячеек хранения (64 миллиона), а x4 (произносится «by four») — разрядность чипа, то есть разрядность каждой ячейки. Чипы DDR бывают x4 и x8, последние стоят дешевле в пересчёте на мегабайт ёмкости, но не позволяют использовать функции Chipkill[en] , Memory scrubbing[en] и IntelSingle-device data correction[en] .

Модули памяти [ править | править код ]

Модули DDR SDRAM выполнены в форм-факторе DIMM. На каждом модуле расположено несколько одинаковых чипов памяти и конфигурационный чип Serial presence detect [en] . На модулях регистровой (registered) памяти также располагаются регистровые чипы, буферизующие и усиливающие сигнал на шине, на модулях нерегистровой (небуферизованной, unbuffered) памяти их нет.

Характеристики модулей [ править | править код ]

  • Объём. Указывается в мегабайтах или гигабайтах.
  • Количество чипов (# of DRAM Devices). Кратно 8 для модулей без ECC, для модулей с ECC — кратно 9. Чипы могут располагаться на одной или обеих сторонах модуля. Максимальное умещающееся на DIMM количество — 36 (9×4).
  • Количество строк (рангов) (# of DRAM rows (ranks)).

Чипы, как видно из их характеристики, имеют 4- или 8-битную шину данных. Чтобы обеспечить более широкую полосу (например, DIMM требует 64 бита и 72 бита для памяти с ECC), чипы связываются в ранги. Ранг памяти имеет общую шину адреса и дополняющие друг друга линии данных. На одном модуле может размещаться несколько рангов. Но если нужно больше памяти, то добавлять ранги можно и дальше, установкой нескольких модулей на одной плате и используя тот же принцип: все ранги сидят на одной шине, только Chip select [en] разные — у каждого свой. Большое количество рангов электрически нагружает шину, точнее контроллер и чипы памяти, и замедляет их работу. Отсюда начали применять многоканальную архитектуру, которая позволяет также независимо обращаться к нескольким модулям.

  • Задержки (тайминги): CAS Latency (CL), Clock Cycle Time (tCK), Row Cycle Time (tRC), Refresh Row Cycle Time (tRFC), Row Active Time (tRAS).

Характеристики модулей и чипов, из которых они состоят, связаны.

Объём модуля равен произведению объёма одного чипа на число чипов. При использовании ECC это число дополнительно умножается на коэффициент 8/9, так как на каждый байт приходится один бит избыточности для контроля ошибок. Таким образом, один и тот же объём модуля памяти можно набрать большим числом (36) маленьких чипов или малым числом (9) чипов большего объёма.

Общая разрядность модуля равна произведению разрядности одного чипа на число чипов и равна произведению числа рангов на 64 (72) бита. Таким образом, увеличение числа чипов или использование чипов x8 вместо x4 ведёт к увеличению числа рангов модуля.

Пример: Варианты модуля 1Гб PC2100 Registered DDR SDRAM

Объём модуляКоличество чиповОбъём чипаОрганизацияКоличество строк (рангов)
1 Гб36256 Мбит64М x 42
1 Гб18512 Мбит64М x 82
1 Гб18512 Мбит128М x 41

В данном примере сравниваются возможные компоновки модуля серверной памяти объёмом 1 Гб. Из представленных вариантов следует предпочесть первый или третий, так как они используют чипы x4, поддерживающие продвинутые методы исправления ошибок и защиты от сбоев. При необходимости использовать одноранговую память остаётся доступен только третий вариант, однако в зависимости от текущей стоимости чипов объёмом 256 Мбит и 512 Мбит он может оказаться дороже первого.

Спецификация модулей памяти [ править | править код ]

Название модуляТип чипаТактовая частота шины памяти, МГцМаксимальная теоретическая пропускная способность, МБ/с
одноканальный режимдвухканальный режим
PC1600*DDR20010016003200
PC2100*DDR26613321334267
PC2400DDR30015024004800
PC2700*DDR33316626675333
PC3000DDR36618330006000
PC3200*DDR40020032006400
PC3500DDR43321734676933
PC3700DDR46623337337467
PC4000DDR50025040008000
PC4200DDR53326742678533
PC5600DDR700350560011200

Примечание 1: стандарты, помеченные символом «*», официально сертифицированы JEDEC. Остальные типы памяти не сертифицированы JEDEC, хотя их и выпускали многие производители памяти, а большинство выпускавшихся в последнее время материнских плат поддерживали данные типы памяти.

Примечание 2: выпускались модули памяти, работающие и на более высоких частотах (до 350 МГц, DDR700), но эти модули не пользовались большим спросом и выпускались в малом объёме, кроме того, они имели высокую цену [3] .

Размеры модулей также стандартизированы JEDEC.

Надо заметить, что нет никакой разницы в архитектуре DDR SDRAM с различными частотами, например, между PC1600 (работает на частоте 100 МГц) и PC2100 (работает на частоте 133 МГц). Просто стандарт говорит о том, на какой гарантированной частоте работает данный модуль.

Модули памяти DDR SDRAM можно отличить от обычной SDRAM по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM) и по ключу (вырезы в области контактных площадок) — у SDRAM два, у DDR — один. Согласно JEDEC, модули DDR400 работают при напряжении питания 2,6 В, а все более медленные — при напряжении 2,5 В. Некоторые скоростные модули для достижения высоких частот работают при больших напряжениях, до 2,9 В.

Большинство последних чипсетов с поддержкой DDR позволяли использовать модули DDR SDRAM в двухканальном, а некоторые чипсеты и в четырёхканальном режиме. Данный метод позволяет увеличить в 2 или 4 раза соответственно теоретическую пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуются 2 (или 4) модуля памяти. Рекомендуется использовать модули, работающие на одной частоте, имеющие одинаковый объём и временны́е задержки (латентность, тайминги). Ещё лучше использовать абсолютно одинаковые модули.

Сейчас модули DDR практически вытеснены модулями типов DDR2 и DDR3, которые в результате некоторых изменений в архитектуре позволяют получить бо́льшую пропускную способность подсистемы памяти. Ранее главным конкурентом DDR SDRAM являлась память типа RDRAM (Rambus), однако ввиду наличия некоторых недостатков со временем была практически вытеснена с рынка.

  • Основные характеристики

    184-pin; частота: 400; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM

    Общие характеристики
    Форм-факторDIMM
    Тип памятиDDR
    Количество контактов184-pin
    Объем512 Мб
    Показатель скоростиPC-3200
    Буферизацияunbuffered
    Поддержка ECC Поддержка ECC Error Checking and Correctionне поддерживается
    Тестовые характеристики
    Скорость Скорость Скорость памяти в тестовом режиме.400МГц
    Конструкция
    Тип поставкиOEM
    Страна производительКитай

    Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.

    Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

    Описание Модуль памяти NCP PC3200 DDR — 512Мб

    На скорость работы системы вашего старенького компьютера благоприятно повлияет установка модуля памяти NCP PC3200 DDR вместо устаревшего модуля или в дополнение к нему. Низкая цена дает возможность без серьезных финансовых трат приобрести несколько модулей и заполнить все предназначенные для них слоты. Форм-фактор DIMM – это гарантия совместимости с большинством типов материнских плат.

    Модуль памяти NCP PC3200 DDR – находка для тех, кто собирает из старых комплектующих недорогие компьютеры для простых бытовых нужд. Вы можете не беспокоиться о долговечности и надежности этой оперативной памяти. Из-за низкого энергопотребления модуль практически не нагревается, поэтому вам не придется менять систему охлаждения. Установка модуля в слот на материнской плате не вызывает сложностей и занимает минимум времени.

    Сообщить об ошибке в описании Отправлено

    Инфоповодом для нижеследующего текста послужила материнская плата Gigabyte GA-7VAXP на чипсете KT400, доставленная в нашу тестовую спецрейсом прямиком из Поднебесной. Центральная опция данной платы и чипсета, несомненно, — поддержка 400-мегагерцовой DDR-памяти. Вот о последней, ее предшественниках и последователях и хотелось бы поговорить.

    Предыдущий стандарт памяти — DDR333 (он же PC2700) — лишь совсем недавно получил статус официального, принятого JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). А большинство разнокалиберных модулей на чипах Samsung с гордой маркировкой DDR333 CL2,5, до сих пор сплошь и рядом соглашаются устойчиво работать лишь на 266 МГц. Иногда, снизив частоту, в качестве компенсации удается уменьшить и задержку CL до 2 тактов, что дает свои пару процентов прироста общей производительности, но не более того. Конечно, задавшись целью, можно найти фирменный 333-мегагерцовый модуль, например, собственной самсунговской сборки, отлично работающий на штатной частоте (к тому же если поднять напряжение питания памяти на 0,1-0,2 В). Для большей стабильности настоятельно рекомендуется нескольким модулям маленького объема предпочесть один большой.

    Купить бы такой и прочувствовать совершенство собственного ПК! Но не тут-то было, с недавних пор в общедоступной рознице появились знакомые безымянные DIMM’ы (в основном на микросхемах Winbond), правда — с новой, волнующей умы маркировкой DDR400 или PC3200. Они, естественно, пока тоже не стандартизованы медлительным JEDEC’ом. Но ответить на вопрос, стоит ли воздерживаться от приобретения DDR SDRAM прежнего образца, чтобы непременно купить новинку, можно уже сейчас.

    Оцените статью
    Много толка
    Добавить комментарий