Транзистор c945 параметры цоколевка

Транзистор c945 параметры цоколевка

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
С первым бокалом человек пьет вино, со вторым -вино пьет вино, с третьим — вино пьет человека.

Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
400 60 50 5 150 150 200000000 3 70/700

Производитель: WEITRON
Сфера применения:
Популярность: 55388
Дополнительные параметры транзистора C945 (С945): Внимание! У разных производителей транзистора с945 — разная цоколевка. Например у Daya Electric Group Co., Ltd.: 123-ebc. Проверяйте перед установкой.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора C945 (С945)

Общий вид транзистора C945 (С945). Цоколевка транзистора C945 (С945).

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-10-29 10:34:45; Пользователь: Дмитрий.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора C945 (С945).


Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора C945 WEITRON: 123-ecb
Дата добавления: 2014-10-29 17:06:30; Пользователь: Дмитрий.


Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора C945 DAYA [Daya Electric Group Co., Ltd.]: 123-ebc
Дата добавления: 2014-10-29 17:06:39; Пользователь: Дмитрий.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

C945 – биполярный, высокочастотный, кремниевый, n-p-n транзистор средней рассеиваемой мощности. Используется в самых разнообразных учебных и коммерческих электронных схемах. Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.

Распиновка транзистора C945

Производится в корпусах двух типов ТО-92, SOT-23 и имеет три вывода:

Вид в корпусе ТО-92

У некоторых данного устройства другая цоколевка ТО-92. Например, у Kwang Myoung 1 – эммитер, 2 – база, 3 – коллектор.

Так выглядит в корпусе SOT-23

Основные технические характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92, SOT-23;
  • материал корпуса – пластмасса;
  • материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

  • проводимость – обратная (n-p-n);
  • максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
  • максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
  • максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
  • максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
  • граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
Наименование Коэффициент Hfe
С945-Y 120-240
С945-O 70-140
С945-R 90-180
С945-Q 135-270
С945-P 200-400
C945-K 300-600
C945-G 200-400
C945-GR 200-400
C945-BL 350-700
C945-L (SOT-23) 120-200
C945-H (SOT-23) 200-400

Диапазон fгр у разных производителей сильно отличается. Например, у Weitron Technology, минимальная граничная частота передачи тока fгр мин. (ft min) начинается с 200 МГц (MHz), а у некоторых максимальная граничная частота передачи тока fгр макс. (ft max) уже 200 МГц (MHz).

Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.

Комплементарная пара

Комплементарными аналогами, с прямой проводимостью (p-n-p), являются 2SA733, 2SA1266.

Маркировка

С945 промаркирован по японскому стандарту JIS. Это сокращенная маркировка транзистора 2sc945. Большинство производителей уже давно не указывают на корпусе устройства символы “2S”, так как согласно системе JIS все транзисторы маркируется начиная с “2S”. “SC” означает ВЧ-транзистор NPN-структуры (NPN HF transistor). «945» – серийный номер.

Читайте также:  Телевизоры со встроенным skype

Замена и российские аналоги C945

Можно подобрать замену из таких транзисторов: KSC945, 2N2222, 2N3904, 2SC3198. 2SC1815, KSC1815, 2SC2002, 2SC3114, 2SC3331, 2SC3332 или 2SC2960. Конфигурация выводов разных производителей может отличается от C945, поэтому проверьте ее1 перед заменой в цепи. Многие радиолюбители используют российский аналог КТ3102. Однако будьте осторожней с заменой, так как PK макс (PC) этого аналога не превышает 250 мВт, а fгр не более 300 МГц.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Как безопасно работать в цепи ?

Чтобы безопасно запустить транзистор марки C945 в Вашей схеме, не используйте его с напряжением U КЭ макс более 50 В и нагрузкой свыше 150 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте нагрев более 150 и менее минус 60 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора, не более 3 секунд на каждый вывод. Температура при пайке не должна превышать + 260 °С.

Производители

Daya Electric Group;
DCCOM (Dc Components);
Futurlec;
HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor);
KEXIN (Guangdong Kexin Industrial);
Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.);
Micro Electronics;
NEC;
Rectron Semiconductor;
SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH);
Stanson Technology;
TGS (Tiger Electronic);
UTC (Unisonic Technologies);
Weitron Technology;
Willas Electronic Corp;
Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Если остались вопросы по C945 или вы не можете подобрать нужный аналог, пишите в комментариях, постараемся помочь.

Биполярный транзистор C945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: C945

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130

Корпус транзистора: SOT23

C945 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc945-gr.pdf Size:244K _update

MCC 2SC945-Y Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC945-GR CA 91311 Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features • Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.15A Plastic-Encapsulate • Collector-base Voltage 60V • Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

1.2. 2sc945lt1.pdf Size:634K _update

 SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃ Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 60 V

1.3. 2sc945-y.pdf Size:244K _update

MCC 2SC945-Y Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC945-GR CA 91311 Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features • Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.15A Plastic-Encapsulate • Collector-base Voltage 60V • Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

1.4. 2pc945 3.pdf Size:47K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage M3D186 2PC945 NPN general purpose transistor 1999 May 28 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 26 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor 2PC945 FEATURES PINNING � Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 50 V). 1 base 2 collector APPLICATIONS 3 emitter � Gen

1.5. ksc945 .pdf Size:42K _fairchild_semi

KSC945 Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. � Complement to KSA733 � Collector-Base Voltage : VCBO=60V � High Current Gain Bandw >1.6. ksc945.pdf Size:126K _fairchild_semi

Читайте также:  Материнская плата asus a52j

Audio Frequency AmpIifier & High Frequency OSC. � Complement to KSA733 � Collector-Base Voltage : VCBO=60V � High Current Gain Bandw >1.7. 2sc945.pdf Size:73K _nec

1.8. 2sc945.pdf Size:180K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733

UTC KSC945 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC KSC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. 1 FEATURES *Collector-Base voltage: BVCBO=60V TO-92 *Collector current up to 150mA *High hFE linearity *Complimentary to KSA733 1:EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR ABSOLUTE M

1.10. stc945.pdf Size:225K _auk

STC945 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General small signal amplifier C Features B • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.) • Low output capacitance : Cob=2pF(Typ.) E • Complementary pair with STA733 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC945 STC945 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Char

1.11. 2sc945.pdf Size:226K _no

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

1.12. c945t.pdf Size:496K _secos

C945T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Plastic-Encapsulate Transistor RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free FEATURES Low noise TO-92 Excellent hFE linearity Complementary to A733T MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units Collector-Base Voltage VCBO 60 V 1 Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V 2 3 1

1.13. c945.pdf Size:160K _secos

C945 60V, 0.15A, 200mW NPN Plastic Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES ? Excellent hFE Linearity A L ? Low noise 3 3 ? Complementary to A733 Top View C B 1 1 2 2 MARKING K E Product Marking Code D C945 CR H J F G Millimeter Millimeter REF. REF. PACKAGE INFOR

1.14. csc945.pdf Size:259K _cdil

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC945 CC8050 TO-92 Plastic Package B C E Audio Frequency General Purpose and Driver Stage Amplifier Application Complmentary CSA733 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25?C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector Emitte

1.15. ktc945.pdf Size:44K _kec

SEMICONDUCTOR KTC945 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity. : hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) N DIM MILLIMETERS Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTA733. G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MAXIMUM RATING (Ta=2

1.16. ktc945b.pdf Size:272K _kec

SEMICONDUCTOR KTC945B TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity. : hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) N DIM MILLIMETERS Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTA733B(O, Y, GR class). G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MA

1.17. c945.pdf Size:653K _htsemi

C945 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURE Excellent hFE Linearity Low noise 1. BASE 2. EMITTER Complementary to A733 3. COLLECTOR MARKING:CR· MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 150 mA PC Collec

1.18. c945.pdf Size:269K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAXIMUM RATINGS (Ta=25?) . MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) CHARACTERISTIC Symbol Rating Unit . ?? . ?? Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc . -. Collector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc . -. Emit

C945(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE linearity Low noise Complementary to A733 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector

C945 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Excellent hFE Linearity: hFE(IC =0.1mA) hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) Low noise Complementary to A733 MARKING:CRВ· Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 5

Читайте также:  Почему не раздается вай фай с айфона

1.21. c945.pdf Size:2172K _wietron

C945 NPN Transistors TO-92 P b Lead(Pb)-Free 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE 0.4 Junction Temperature Tj +150 °C Storage Temperature T -40 to + 150 °C STG WEITRON 1/4 08-Feb-06 http://www.weitron.com.tw C945 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Typ Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE1 VCE=6.0

1.22. c945lt1.pdf Size:2032K _wietron

C945LT1 NPN Transistors 3 P b Lead(Pb)-Free 1 2 C945LT1=CR WEITRON http://www.weitron.com.tw C945LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Typ Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE — — 130 400 (IC=1 mAdc, VCE=6.0 Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — Vdc — 0.3 (IC=100 mAdc, IB=10mAdc) B

1.23. c945.pdf Size:929K _willas

FM120-M WILLAS THRU C945 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produc Package outline Features • Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H • Low profile surface mounted application in order to TRANSISTO

1.24. hsc945.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6517 HI-SINCERITY Issued Date : 1995.02.11 Revised Date : 2004.08.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HSC945 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSC945 is designed for using driver stage of AP amplifier and low speed switching applications. TO-92 Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature .

1.25. btc945a3.pdf Size:309K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2003.04.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.06.10 Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC945A3 Description • The BTC945A3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. • Complementary to BTA733A3. • Pb-free package Symbol Outline BTC945A3 TO-92 B:Base C�

1.26. c945 sot-23.pdf Size:285K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors C945 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to A733 MARKING:CR. MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vol

1.27. c945.pdf Size:346K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE TO-92 ♦ Excellent hFE linearity ♦ Low noise 1.EMITTER ♦ Complementary to A733 2.BASE MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 3.COLLECTOR Symbol Parameter Value Units Symbol Parameter Value Units Symbol Parameter Value Units Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO 60 V

1.28. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,放大特性好。 High voltage, excellent hFE linearity. 用途 / Applications 用于一般放大及低速开关。 General power amplifier application and low speed switching. 内�

1.29. ftc945b.pdf Size:66K _first_silicon

SEMICONDUCTOR FTC945B TECHNICAL DATA NPN TRANSISTOR B C FEATURE Excellent hFE linearity DIM MILLIMETERS Low noise A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G Complementary to FTA733B C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) F 1.27 G 0.85 H 0.45 Symbol Parameter Value Units _ H J 14.00 + 0.50 L 2.30 F F VCBO Collector-Base Voltage 60 V

1.30. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

SMD Type SMD Type si o ors SMD Type TranDistdes NPN Transistors 2SC945 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 ■ Features ● Collector current up to 150mA ● High hFE linearity 1 2 ● Complementary to 2SA733 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector

1.31. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity 2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR· MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emi

1.32. c945.pdf Size:222K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 C945 TRANSISTOR (NPN ) 1.EMITTER FEATURE Excellent hFE linearity 2.COLLECTOR Low noise 3. BASE Complementary to A733 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Volt

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector